股市配资交易论坛 DRAM，备受追捧

"一天一个价股市配资交易论坛，甚至一天几个价"，深圳华强北的存储商户们这样描述近期的市场行情。这是存储行业进入超级周期的鲜明写照。

众所周知，随着 AI 需求的爆发，存储行业正经历一场前所未有的结构性变革。2025 年下半年，尤其是近几个月以来，存储行业全面进入加速上行周期，存储原厂盈利能力持续提升，HBM 供应紧张，SK 海力士 2026 年底前的产能已基本被 AI 大客户锁定，三星留给中小厂商的份额不足 10%。

HBM 之外，在这一浪潮中，DRAM 作为存储赛道的另一关键领域，重新回到了各大厂商的战略核心位置，备受追捧。

面对当前存储市场供不应求、价格持续上涨的局面，三星电子、SK 海力士、美光三大存储芯片巨头采取了不同的应对策略，以适应市场的变化，抢占未来发展的制高点。

AI 热潮下，存储巨头转向与产能豪赌三星：缩减 HBM 产能，扩建 DRAM 产线

近期，三星电子计划将用于 HBM3E 生产的第四代 1a 纳米制程产能下调 30%-40%，转而投入第五代 1b 纳米制程的通用 DRAM 生产，每月可新增约 8 万片晶圆产能。

据悉，目前三星的 HBM3 和 HBM3E 内存均基于 1a 纳米制程的 DRAM，而 HBM4 则基于 1c 纳米制程，以形成对 SK 海力士的竞争优势，1b 纳米制程工艺产能主要由通用 DRAM 占据，包括 DDR5、LPDDR5X 等，也有部分会用于生产 GDDR7。因此，对于三星电子而言其 1b 制程 DRAM 产能的盈利能力反而超过了受益于 HBM 高价格的 1a 制程，进而推动其产能从 HBM 热潮到 DRAM 转向。

据了解，三星这次调整的背后是明确的利润考量。三星内部评估显示，尽管 HBM 产品单位售价高，但其议价能力弱。虽然三星 HBM3E 良率已有显著提升，今年下半年也加入了英伟达的 HBM3E 供应链，但其供应量仍然有限，且供给英伟达这些大客户的 HBM3E 价格也要比竞争对手低，这也导致了三星当前的 HBM3E 产品的利润率只有约 30% 左右。

此外，英伟达、AMD 等头部厂商都计划从明年开始将其主要产品的需求过渡到 HBM4，这也将导致 HBM3E 市场需求减少。据预计，明年 12 层 HBM3E 产品的售价可能将再下降 30% 以上，这也意味着三星 HBM3E 的利润率可能会进一步降低。

而相比之下，在 AI 热潮下，HBM 抢占标准 DRAM 产能，短期内 DRAM 扩产幅度有限等原因，导致基于 1b 纳米制程 DRAM 产能的通用 DRAM 产品供不应求、价格持续上涨。三星基于 1b DRAM 产能的 DDR5 等通用 DRAM 的利润率将超过 60%，远高于 HBM3E 产品。

因此，对于三星来说，降低 HBM3E 产能，扩大标准 DRAM 产出将更有利可图。

不仅如此，三星还将平泽和华城园区的部分 NAND 闪存产线改造为 DRAM 产线，聚焦数据中心所需的大容量 DDR5 及 LPDDR5X 产品，以快速响应 AI 服务器的旺盛需求。

另一方面，三星为抢占 HBM4 先机，也正在加紧提升 1cnm DRAM 的生产能力，计划到 2026 年第二季度将产能提升至每月 14 万片晶圆，到第四季度进一步提高到每月 20 万片晶圆。据 TrendForce 报道，为实现这一目标，三星一方面通过现有的 DRAM 生产线过渡，另一方面通过平泽 P4 工厂的新投资来实现。

不过最近也有传闻表示，三星对于 HBM4 的投资偏于谨慎，可能也在考虑进一步削减投资。

从整体而言，在这场产能布局的调整中，三星展现出了果断的决策力。通过这一系列举措，旨在优化产能配置，提高生产效率，从而在激烈的市场竞争中占据更有利的地位。

正如业内知情人士透露："三星致力于在明年取得优异的市场业绩，其核心目标是实现比 SK 海力士更高的利润，并在盈利能力方面实现赶超。因此，这也是三星计划保持 DRAM 产量的高速增长，并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用 DRAM 的原因所在。"

SK 海力士：通用 DRAM 需求激增，产能暴涨 8 倍

与三星的战略调整相呼应，SK 海力士也在调整自己的产能布局。

据报道，为应对旺盛的 DRAM 需求，SK 海力士计划将 DRAM 产能投资目标翻了一番。不过不同的是，SK 海力士的大部分 DRAM 产能的扩张仍是投资于 HBM 等数据中心产品的应用。

SK 海力士在其第三季度财报会上进一步强化了这一预期："尽管通用 DRAM 的利润率可能与 HBM 相近，但我们不会仅仅因为盈利能力的暂时性变化就立即调整产能结构。"

可见，SK 海力士扩产规划与旨在通过扩大通用 DRAM 供给来提升获利的三星电子存在差异，其更倾向于提高面向数据中心的 DRAM 产品需求来提升获利，毕竟 SK 海力士在 HBM 领域的市场份额遥遥领先，并且 2026 年的 HBM 产能已销售一空。

对此，SK 海力士 M15X 晶圆厂预计 2025 年底量产 1b DRAM，初期月产能 3.5 万片，主要用于 HBM3E 核心芯片生产，以巩固其在 HBM 市场 50% 以上的份额优势，未来预计可扩大至 5.5 万 -6 万片。

业界估算 SK 海力士的 HBM4 利润率约为 60%。，其明年 HBM 销售额约为 40 万亿至 42 万亿韩元。若维持与今年相同的利润率，SK 海力士仅 HBM 业务就将产生约 25 万亿韩元营业利润，较今年的 17 万亿韩元增长近 50%。

不过值得注意的是，在加码 HBM 产能的同时，SK 海力士并未放缓通用 DRAM 的布局。SK 海力士的产能提升计划重心主要集中在最先进的 1c DRAM 技术节点。

据韩国媒体报道，SK 海力士计划明年将第六代 10 纳米 DRAM（1c DRAM）月产能从目前约 2 万片 300mm 晶圆提升至 16 万至 19 万片，增幅达 8 至 9 倍，占其 DRAM 总产能的三分之一以上。

据业内人士透露，SK 海力士已将 1c DRAM 的良率提升至 80% 以上，该制程主要用于制造 DDR5、LPDDR 和 GDDR7 等最新通用 DRAM 产品。而此次扩产后的 1c DRAM 将主要聚焦于生产 GDDR7 和 SOCAMM2 等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。

此前，SK 海力士将产能重点放在 HBM 上，判断 HBM 需求增长将超过通用 DRAM。但随着 AI 模型从学习扩展到推理领域，通用 DRAM 的需求增速预计将与 HBM 相当。在 AI 推理应用中，比 HBM 更节能、更经济的先进通用 DRAM 成为主流选择。

英伟达近期发布的 AI 加速器 Rubin CPX 采用的是 GDDR 显存而非 HBM 显存，直接部署在处理器旁边。英伟达使用的面向 AI 服务器和 PC 的内存模块标准的 SOCAMM2 内存模块同样采用 1c DRAM，与 HBM 相比带宽较低但能效更高。谷歌、OpenAI 和亚马逊网络服务等大型科技公司也在开发集成大量通用 DRAM 的定制 AI 加速器。

在此行业趋势下，业内人士预测 SK 海力士将获得一定数量的供应订单。

这一战略调整反映出 AI 推理应用对成本效益更高的通用 DRAM 需求激增，SK 海力士正将战略重心从 HBM 扩展至更广泛的 AI 内存市场。相比需要复杂堆叠工艺的 HBM，1c DRAM 的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长。

综合来看，在 HBM 和通用 DRAM 双轮驱动下，业内人士预计，SK 海力士明年设施投资额将轻松突破 30 万亿韩元，较今年预计的 25 万亿韩元大幅增长。市场预测该公司明年营业利润有望超过 70 万亿韩元，创下历史新高。

美光：多业务终止，聚焦高价值 DRAM

相较于韩国存储双雄，美光的战略转向显得更加决绝。

美光不仅选择终止移动 NAND 产品开发、甚至不惜砍掉消费类业务品牌 Crucial，计划将这部分产能重新分配到毛利润率更高的 HBM/ 企业级 DRAM 和 SSD 产品上来，将未来所有产能和研发资源全力投向数据中心市场，以满足 AI 领域日益增长的需求。

这个看似简单的品牌"停摆"决策，背后藏着一张利润表的激烈博弈。据美光内部一份未公开的财务数据显示，2025 年上半年，数据中心存储芯片的毛利率高达 42%，而消费级存储产品的毛利率仅为 14%，前者的利润是后者的 3 倍。

对此，Crucial 品牌运营负责人在内部会议上无奈表示："我们不是放弃消费者，而是在资本的选择里，没有太多余地。"

TrendForce 集邦咨询报告指出，美光目前正在新建多个工厂的产能。比如，在中国台湾的 A5 工厂，主要是扩大 HBM 堆叠能力，目前正计划破土动工；美光在美国的 ID1 晶圆厂位于爱达荷州博伊西市美光研发中心附近，奠基仪式于 2024 年举行，预计新晶圆厂将于 2027 年上半年开始生产晶圆；在美国的 ID2 晶圆厂的第二阶段将在第一阶段晶圆厂完工后开始建设，并比 N.Y.Fab 更早进入大规模生产；位于美国的 N.Y.Fab 目前仍处于准备阶段，计划于 2025 年底开始破土动工，预计将于 2030 年前进入量产阶段；位于日本广岛工厂预计将于 2026 年开始建设，主要将用于 HBM 相关生产。

值得注意的是，在爱达荷州的博伊西晶圆厂，美光把原本生产消费级存储芯片的 3 条生产线，全部改成了生产 HBM 和数据中心用 DRAM 芯片的生产线。"我们跟英伟达签了一份为期 3 年的供货协议，每年要给他们供应至少 120 万颗 HBM 芯片，为了完成这个订单，我们不得不调整产能。"美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在财报电话会议上表示。

据路透 · 社消息，在经过大规模的市场调查之后发现，今年 10 月，谷歌、亚马逊、微软和 Meta 也纷纷向美光提出了"无限期订单"，他们告诉美光，无论价格如何，只要能交付多少，他们就会接收多少。这或许也能解释，美光为何不惜砍掉自家的消费类品牌来增加数据中心 / 企业级的供给。

美光科技首席商务官 Sumit Sadana 在接受采访时表示，2026 年 DRAM 内存供应形势将比当前更为严峻。他指出，HBM 产品对晶圆的消耗约为传统 DRAM 的三倍，而主要厂商正将大量产能转向 HBM，叠加新建 DRAM 晶圆厂成本上升与周期延长，短期内难以实现大规模扩产。美光计划于 2026 年小批量交付 HBM4，有望提升其在该领域的市场份额，逐步接近整体 DRAM 市场的占有率水平。

今年 6 月，美光宣布开始逐步停产 DDR4，预计在未来 6 到 9 个月内出货量将逐步下滑，直至最终彻底停产。这一动作清晰地展现出其对高端产品的倾斜与对未来趋势的前瞻判断。美光通过聚焦高价值存储战略，强化了其在高端存储市场的优势，也为未来发展积蓄了新的动能。

不过，随着智能手机、汽车等领域 DRAM 搭载量持续提升，美光正与客户协商调整车用内存定价策略，并将适当延长 DDR4 内存生产以满足市场需求。

产能转向背后，深层逻辑与三重驱动

分析来看，存储巨头的产能转向并非偶然，而是由利润、需求和技术三重因素共同驱动的战略调整，但其路径选择却因各自市场地位与技术储备的不同而呈现出显著差异。

利润是最直接的驱动力：三星的 HBM3E 因定价较竞争对手低约三成，且市场份额有限，营业利润率仅为 30% 左右。相比之下，AI 热潮导致的供应紧张，使得基于 1b 纳米制程的通用 DRAM（如 DDR5）的预期利润率超过 60%。这一巨大的利润差，直接驱动三星计划将 30%-40% 的 1a 纳米 HBM3E 产能转向通用 DRAM；

而 SK 海力士因其在 HBM 市场占据绝对主导地位，其 HBM 业务利润率高达约 70%，因此其重心仍优先保障 HBM，但也同时加速扩产 1c DRAM，应对通用 DRAM 利润率即将追平 HBM 的市场变化；

美光则最为决绝，通过砍掉消费级品牌 Crucial，将全部产能和资源重新分配给利润率数倍于消费级产品的数据中心 /HBM 市场，规避低利润陷阱。

市场需求的变化同样关键：在需求层面，AI 应用从训练向推理及边缘侧延伸，引发了对大容量、高性价比存储的结构性变化。这不仅持续推高 HBM 需求，更催生了对 GDDR7、大容量 DDR5/LPDDR5X 等通用 DRAM 的爆发性需求。例如，英伟达新发布的 AI 加速器也采用了基于通用 DRAM 的解决方案。面对谷歌、微软等云巨头"无限期订单"的强劲需求，巨头们不得不重新评估产能分配。

面对 AI 浪潮下的市场结构变革，三星聚焦 AI 服务器亟需的大容量 DDR5/LPDDR5X，抢抓通用 DRAM 短缺红利；SK 海力士兼顾 AI 训练对 HBM 的刚需与 AI 推理对 GDDR7 等高效通用 DRAM 的新增需求，平衡短期订单与长期趋势；美光则响应英伟达、谷歌等巨头的"无限期订单"，加码数据中心存储供给。

技术与产能的适配性是战略落地的基础：HBM 生产复杂、良率爬升慢，挤压了通用 DRAM 的晶圆产能。因此，三巨头的制程策略出现分化：三星以 1b 制程提升通用 DRAM 产能效率，同步押注更先进的 1c 纳米制程用于未来 HBM4，以寻求技术超车；SK 海力士则基于其领先优势，选择将更成熟、可快速扩产的 1b 纳米制程作为 HBM3E/HBM4 的产能基石，实现通用产品快速扩产，规避 HBM 复杂工艺的产能限制；美光通过产线改造与 DDR4 停产，集中资源攻克 HBM4 技术与高端 DRAM 领域，适配高端市场需求，三者均以制程升级实现产能优化与利润最大化的双重目标。

同时，为快速响应市场，三星和 SK 海力士都在大幅扩建 1c 纳米通用 DRAM 产能，而新建工厂周期较长，普遍到 2027 年及以后才能达产，也迫使它们必须优化现有产能。

存储三巨头，博弈与分野

在这场存储盛宴中，三星、SK 海力士、美光三巨头凭借技术优势、市场份额与产能规模，成为最大受益者，各自谋划未来蓝图。

三星电子、SK 海力士和美光科技在 DRAM 领域的竞争呈现差异化特征。三星正以规模优势重塑其市场地位，计划将每月 1b 纳米制程产能增加约 8 万片晶圆。该公司计划通过平泽 Fab 4 工厂的 1c 制程专用产线，在 2026 年将 DRAM 产能提升至每月 15 万片。

从市场份额来看，2025 年 Q1 三星在全球 DRAM 市场的份额为 34%，落后于 SK 海力士的 36%。但三星凭借其强大的技术实力和产能优势，采用"通用 DRAM 保量、HBM4 抢高端"的双线策略，目标是在 2026 年实现 DRAM 营业利润超越 SK 海力士，重新夺回全球 DRAM 市场份额第一的宝座。

SK 海力士则采取了不同策略，作为 HBM 市场的绝对龙头，选择聚焦高壁垒的 HBM3E/HBM4 产能扩张，短期以 HBM3E 保障英伟达、谷歌等核心客户的确定性需求，规避 HBM4 量产过早带来的技术验证风险；长期通过 HBM4、HBM4E 的技术迭代与产能扩张，维持市场龙头地位并锁定高端溢价。

同时增加数据中心级 DRAM 供应，以 1c 制程扩产为核心抓手，既通过数据中心专用产品承接 AI 算力爆发需求，又灵活调整通用 DRAM 产出，把握价格上涨周期的盈利机遇，同时保障客户供应链稳定。

SK 海力士在 DRAM 与 HBM 两大赛道的布局始终紧跟市场需求变化，形成核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位的双轨战略。据报道，SK 海力士 2026 年全系列存储订单基本已经售罄。

在面对市场变化和竞争压力时，美光的策略更加聚焦。在退出中国数据中心市场后，美光将资源集中于 HBM4 技术研发与 DDR5 产能建设，计划在 2026 年将 HBM 产能增加四倍，并加速 1α 纳米制程的量产。同时主动缩减消费级 DRAM 品牌业务，将产能优先分配给苹果、谷歌等高价客户，这一举措虽然在短期内可能会影响美光在消费市场的份额，但从长期来看，有助于美光提升整体利润率。

在技术研发上美光也不遗余力，不断提升 HBM 和 DDR5 的性能指标，以满足高端市场对存储性能的严格要求。

存储涨价潮持续，重塑产业链

存储巨头的产能转向正在对整个行业产生深远影响。

对消费电子市场的影响首当其冲。有业内人士表示，内存价格已经飙升到"几乎负担不起"的程度。这种局面大概率会贯穿整个 2026 年，可能要到 2027 年下半年才有所缓解。

在供应链层面，存储模组厂成为受影响最直接的一环，产品随行就市，上游涨价，下游传导。许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价。

能够感受到，产业链重塑正在悄然发生。

尤其是在 AI 浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型。随着大模型训练和推理对内存容量需求的激增，HBM 和 DDR5 内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链。

市场预计这一供需失衡局面将持续到 2027 年，当新的产线陆续投入运营，存储行业的格局也将随之改变。不过股市配资交易论坛，随着英伟达将 AI 芯片更新周期缩短至一年，存储行业的这场技术军备竞赛，远未到停歇之时。

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